[오피니언뉴스=박대웅 기자] SK하이닉스가 반도체 회로 및 공정 기술 분야의 권위 있는 학술대회에서 차세대 D램 기술 로드맵을 발표했다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)는 10일 'IEEE VLSI 심포지엄 2025' 기조연설에서 '4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼'과 '3D D램' 등 차세대 D램 기술을 발표했다. 이번 포럼의 주제는 '지속 가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도'다.

차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F²VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 했다.

4F²VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고접적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다.

D램은 셀 단위로 데이터를 저장하는데 셀 하나가 차지하는 면적을 F²(F는 반도체의 최소 선폭)라고 표현한다. 다시 말해 4F²는 한 개의 셀이 2Fx2F 면적을 차지한다는 의미로 한 칩 안에 더 많은 셀을 넣기 위한 고집적 기술이다.

현재는 6F²셀이 일반적이며 4F²셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 거둘 수 있다는 게 SK하이닉스의 설명이다.

차 CTO는 3D D램도 차세대 D램 슬롯 머신 저금통의 핵심으로 꼽았다.

3D D램 슬롯 머신 저금통은 제조 비용이 적층 수에 비례해 늘어나지만 SK하이닉스는 슬롯 머신 저금통 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보한다는 방침이다. 동시에 핵심 소재와 D램 구성 요서 전반에 대한 슬롯 머신 저금통 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고 향후 30년 간 D램 슬롯 머신 저금통 진화를 지속적으로 추진하는 기반을 구축하겠다는 계획이다.

차 CTO는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았지만 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르렀다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중요한 기술 혁신 비전을 제시하고 업계와 함께 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 했다.

박대웅 기자 바카라 슬롯